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电子元器件详细资料 » IC[21458] » IRFIB5N65APBF
型号:IRFIB5N65APBF类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片描述:MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
系列HEXFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C930 毫欧 @ 3.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs48nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1417pF @ 25V
功率_最大60W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商设备封装TO-220-3
包装管件

IRFIB5N65APBF相关型号

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